ES1GLHMHG
참조 용
| 부품 번호 | ES1GLHMHG |
| PNEDA 부품 번호 | ES1GLHMHG |
| 설명 | DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,130 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 5 - 11월 10 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ES1GLHMHG 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ES1GLHMHG |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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ES1GLHMHG 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 400V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.3V @ 1A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 35ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 400V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-219AB |
| 공급자 장치 패키지 | Sub SMA |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 12A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.35V @ 12A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-203AA 작동 온도-접합 -65°C ~ 200°C |
제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 3A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F 40pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 500mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 125°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 630mV @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 60V 커패시턴스 @ Vr, F 195pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AD 공급자 장치 패키지 MicroSMP (DO-219AD) 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 2µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-41 작동 온도-접합 -40°C ~ 175°C |
