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ESH2PDHE3/85A

ESH2PDHE3/85A

참조 용

부품 번호 ESH2PDHE3/85A
PNEDA 부품 번호 ESH2PDHE3-85A
설명 DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 4,950
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ESH2PDHE3/85A 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ESH2PDHE3/85A
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
ESH2PDHE3/85A, ESH2PDHE3/85A 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 102.53 KB)
PDFESH2PDHE3/84A 데이터 시트 표지
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ESH2PDHE3/85A 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈eSMP®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If980mV @ 2A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)25ns
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-220AA
공급자 장치 패키지DO-220AA (SMP)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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전류-평균 정류 (Io)

2A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

70pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

450mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

DO-220AA (SMP)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

V8PA15HM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

510pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DO-221BC (SMPA)

작동 온도-접합

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

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BYM10-800HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

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