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ESH3D V6G

ESH3D V6G

참조 용

부품 번호 ESH3D V6G
PNEDA 부품 번호 ESH3D-V6G
설명 DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 3,454
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ESH3D V6G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ESH3D V6G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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ESH3D V6G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)20ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F45pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AB, SMC
공급자 장치 패키지DO-214AB (SMC)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.75V @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

작동 온도-접합

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제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 6A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

150pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

R6, Axial

공급자 장치 패키지

R-6

작동 온도-접합

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50WQ04FNTRL

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

5.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

510mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

405pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-PAK (TO-252AA)

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

US2DA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

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GeneSiC Semiconductor

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다이오드 유형

Schottky, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 60A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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