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F3L75R12W1H3B27BOMA1

F3L75R12W1H3B27BOMA1

참조 용

부품 번호 F3L75R12W1H3B27BOMA1
PNEDA 부품 번호 F3L75R12W1H3B27BOMA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 75A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,418
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

F3L75R12W1H3B27BOMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호F3L75R12W1H3B27BOMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
F3L75R12W1H3B27BOMA1, F3L75R12W1H3B27BOMA1 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 1,078.96 KB)
PDFF3L75R12W1H3B27BOMA1 데이터 시트 표지
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F3L75R12W1H3B27BOMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)45A
전력-최대275W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce4.4nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

1780W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

BSM50GD170DLBOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

480W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FP10R12W1T7B11BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전력-최대

20mW

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

4.5µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1890pF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 75°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

AG-EASY1B-2

제조업체

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시리즈

-

IGBT 유형

PT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전력-최대

300W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

750µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227B

APTGT200A170D3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

1250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

17nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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