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F4-50R07W2H3_B51

F4-50R07W2H3_B51

참조 용

부품 번호 F4-50R07W2H3_B51
PNEDA 부품 번호 F4-50R07W2H3_B51
설명 IGBT MODULE VCES 650V 50A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,168
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 9월 23 - 9월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

F4-50R07W2H3_B51 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호F4-50R07W2H3_B51
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
F4-50R07W2H3_B51, F4-50R07W2H3_B51 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 787.27 KB)
PDFF4-50R07W2H3_B51 데이터 시트 표지
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F4-50R07W2H3_B51 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈*
IGBT 유형-
구성-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력-
NTC 서미스터-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

230W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

95pF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FS50R12KE3BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

270W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF400R12KT3HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

580A

전력-최대

2000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

28nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FP15R12W2T4BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전력-최대

145W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

890pF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

IRG5U100HF12B

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

180A

전력-최대

780W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

12nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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