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F43L50R07W2H3FB11BPSA2

F43L50R07W2H3FB11BPSA2

참조 용

부품 번호 F43L50R07W2H3FB11BPSA2
PNEDA 부품 번호 F43L50R07W2H3FB11BPSA2
설명 MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,048
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

F43L50R07W2H3FB11BPSA2 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호F43L50R07W2H3FB11BPSA2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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F43L50R07W2H3FB11BPSA2 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈EconoPACK™2
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전력-최대20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce3.1nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

430A

전력-최대

1562W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

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입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

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Standard

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Chassis Mount

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

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입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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IGBT 유형

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구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

420A

전력-최대

1380W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

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전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

700A

전력-최대

2300W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

750µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

49nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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SP6

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입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

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입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

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