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FAN73832M

FAN73832M

참조 용

부품 번호 FAN73832M
PNEDA 부품 번호 FAN73832M
설명 IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,664
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 23 - 3월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FAN73832M 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FAN73832M
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
FAN73832M, FAN73832M 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 1,265.76 KB)
PDFFAN73832MX_WS 데이터 시트 표지
FAN73832MX_WS 데이터 시트 페이지 2 FAN73832MX_WS 데이터 시트 페이지 3 FAN73832MX_WS 데이터 시트 페이지 4 FAN73832MX_WS 데이터 시트 페이지 5 FAN73832MX_WS 데이터 시트 페이지 6 FAN73832MX_WS 데이터 시트 페이지 7 FAN73832MX_WS 데이터 시트 페이지 8 FAN73832MX_WS 데이터 시트 페이지 9 FAN73832MX_WS 데이터 시트 페이지 10 FAN73832MX_WS 데이터 시트 페이지 11

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FAN73832M 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급15V ~ 20V
논리 전압-VIL, VIH1.2V, 2.9V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)350mA, 650mA
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)600V
상승 / 하강 시간 (일반)50ns, 30ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

1.85V, 3.15V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

14.5V ~ 15.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

100ns, 100ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

60ns, 60ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

HIP2103FRTAAZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

1.63V, 2.06V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

60V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 2ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-TDFN (3x3)

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.9A, 2.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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