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FDC3535

FDC3535

참조 용

부품 번호 FDC3535
PNEDA 부품 번호 FDC3535
설명 MOSFET P-CH 80V 6-SSOT
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,194
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDC3535 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDC3535
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDC3535, FDC3535 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 253.82 KB)
PDFFDC3535 데이터 시트 표지
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FDC3535 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs183mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds880pF @ 40V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.6W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SuperSOT™-6
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

1.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

패키지 / 케이스

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IXTV22N60P

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

PolarHV™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

62nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

400W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PLUS220

패키지 / 케이스

TO-220-3, Short Tab

AO3434A

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

52mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

245pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.4W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3L

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FQPF16N15

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

910pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

53W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.05V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14.6nC @ 4.5V

Vgs (최대)

-6V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2275pF @ 4V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.7W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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