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FDC6432SH

FDC6432SH

참조 용

부품 번호 FDC6432SH
PNEDA 부품 번호 FDC6432SH
설명 MOSFET N/P-CH 30V/12V SSOT-6
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,802
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDC6432SH 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDC6432SH
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDC6432SH, FDC6432SH 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 199.38 KB)
PDFFDC6432SH 데이터 시트 표지
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FDC6432SH 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V, 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.4A, 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs3.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds270pF @ 15V
전력-최대700mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지SuperSOT™-6

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

370mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 100µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

570mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

4 N-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14.8A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

864pF @ 30V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

V-DFN5045-12

FDMJ1023PZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

112mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

SC-75, MicroFET

SI5975DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

86mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 1mA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 35µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

54nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2245pF @ 10V

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