FDC6561AN
참조 용
| 부품 번호 | FDC6561AN |
| PNEDA 부품 번호 | FDC6561AN |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 223,800 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDC6561AN 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDC6561AN |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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FDC6561AN 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.5A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.2nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 220pF @ 15V |
| 전력-최대 | 700mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급자 장치 패키지 | SuperSOT™-6 |
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 58mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 520pF @ 10V 전력-최대 3W (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 290pF @ 15V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 65nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1300pF @ 10V 전력-최대 2.36W, 2.8W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-PowerPair™ 공급자 장치 패키지 6-PowerPair™ |
