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FDD7N60NZTM

FDD7N60NZTM

참조 용

부품 번호 FDD7N60NZTM
PNEDA 부품 번호 FDD7N60NZTM
설명 MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,040
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDD7N60NZTM 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDD7N60NZTM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDD7N60NZTM, FDD7N60NZTM 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 773.49 KB)
PDFFDU7N60NZTU 데이터 시트 표지
FDU7N60NZTU 데이터 시트 페이지 2 FDU7N60NZTU 데이터 시트 페이지 3 FDU7N60NZTU 데이터 시트 페이지 4 FDU7N60NZTU 데이터 시트 페이지 5 FDU7N60NZTU 데이터 시트 페이지 6 FDU7N60NZTU 데이터 시트 페이지 7 FDU7N60NZTU 데이터 시트 페이지 8 FDU7N60NZTU 데이터 시트 페이지 9 FDU7N60NZTU 데이터 시트 페이지 10 FDU7N60NZTU 데이터 시트 페이지 11

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FDD7N60NZTM 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈UniFET-II™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.25Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17nC @ 10V
Vgs (최대)±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds730pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)90W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D-Pak
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 5V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4633pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

211W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DMPH4023SK3Q-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1091pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFB4410PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

88A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 58A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5150pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

STH400N4F6-6

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.15mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

404nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

H2PAK-6

패키지 / 케이스

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

ZVN4525GTC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

310mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.65nC @ 10V

Vgs (최대)

±40V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

72pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-223

패키지 / 케이스

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MIC4420YN

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