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FDD8445-F085

FDD8445-F085

참조 용

부품 번호 FDD8445-F085
PNEDA 부품 번호 FDD8445-F085
설명 MOSFET N-CH 40V 70A DPAK
제조업체 ON Semiconductor
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FDD8445-F085 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDD8445-F085
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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FDD8445-F085 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs8.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs59nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4050pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)79W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252AA
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.3mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

378nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

28000pF @ 25V

FET 기능

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 14A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 300µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

42nC @ 8V

Vgs (최대)

±18V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

760pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

96W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

3-PQFN (8x8)

패키지 / 케이스

3-PowerDFN

ZVP2106ASTOB

Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

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-

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P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

280mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

100pF @ 18V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

700mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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MOSFET (Metal Oxide)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

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102nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

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Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 11.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1456pF @ 12V

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-

전력 손실 (최대)

1.3W (Ta), 52W (Tc)

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