FDD8870-F085
참조 용
부품 번호 | FDD8870-F085 |
PNEDA 부품 번호 | FDD8870-F085 |
설명 | MOSFET N-CH 30V 21A DPAK |
제조업체 | ON Semiconductor |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 7,290 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
FDD8870-F085 리소스
브랜드 | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | FDD8870-F085 |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.
우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.
신속한 대응
저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.
보장 된 품질
당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.
글로벌 액세스
전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.
Hot search vocabulary
- FDD8870-F085 Datasheet
- where to find FDD8870-F085
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor FDD8870-F085
- FDD8870-F085 PDF Datasheet
- FDD8870-F085 Stock
- FDD8870-F085 Pinout
- Datasheet FDD8870-F085
- FDD8870-F085 Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- FDD8870-F085 Price
- FDD8870-F085 Distributor
FDD8870-F085 사양
제조업체 | ON Semiconductor |
시리즈 | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
FET 유형 | N-Channel |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 21A (Ta) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 118nC @ 10V |
Vgs (최대) | ±20V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5160pF @ 15V |
FET 기능 | - |
전력 손실 (최대) | 160W (Tc) |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
공급자 장치 패키지 | TO-252AA |
패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
관심을 가질만한 제품
IXYS 제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1220A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.35mOhm @ 932A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 64mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2520nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 Y3-Li 패키지 / 케이스 Y3-Li |
Alpha & Omega Semiconductor 제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 AlphaSGT™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 9.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 52nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2785pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 104W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-262 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Infineon Technologies 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolMOS™ CFD2 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 22.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 150mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 900µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 86nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2340pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 34.7W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
Infineon Technologies 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.75mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 155µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 117nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8110pF @ 40V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 214W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO262-3 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Vishay Siliconix 제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 20A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 600mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2660pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 8.3W (Ta), 71W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |