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FDD8878

FDD8878

참조 용

부품 번호 FDD8878
PNEDA 부품 번호 FDD8878
설명 MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 23,628
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDD8878 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDD8878
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDD8878, FDD8878 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 400.56 KB)
PDFFDU8878 데이터 시트 표지
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FDD8878 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)11A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs15mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs26nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds880pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)40W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252AA
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Micro Commercial Co

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.2A

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1255pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.05W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

166nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

ISO264™

패키지 / 케이스

ISO264™

TK10A55D(STA4,Q,M)

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

550V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

720mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

45W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220SIS

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™, PolarP2™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

210A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 105A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

255nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1500W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

54A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1060pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 71W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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