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FDM3300NZ

FDM3300NZ

참조 용

부품 번호 FDM3300NZ
PNEDA 부품 번호 FDM3300NZ
설명 MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDM3300NZ 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDM3300NZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDM3300NZ, FDM3300NZ 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 247.34 KB)
PDFFDM3300NZ 데이터 시트 표지
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FDM3300NZ 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs23mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1610pF @ 10V
전력-최대900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지8-MLP (3x3)

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Ta), 6.5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V

전력-최대

1.8W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

FW811-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

35V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF @ 20V

전력-최대

2.2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

ZDM4306NTC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

330mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

전력-최대

3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-223-8

공급자 장치 패키지

SOT-223

SI3981DV-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

185mOhm @ 1.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

800mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

BSG0813NDIATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate, 4.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A, 33A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 12V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 155°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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