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FDMA3027PZ

FDMA3027PZ

참조 용

부품 번호 FDMA3027PZ
PNEDA 부품 번호 FDMA3027PZ
설명 MOSFET 2P-CH 30V 3.3A MICRO
제조업체 ON Semiconductor
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FDMA3027PZ 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMA3027PZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDMA3027PZ, FDMA3027PZ 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 470.99 KB)
PDFFDMA3027PZ 데이터 시트 표지
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FDMA3027PZ 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs87mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds435pF @ 15V
전력-최대700mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지6-MicroFET (2x2)

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

405pF @ 50V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

DMT3022UEV-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

903pF @ 15V

전력-최대

900mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI3333-8

MCH6663-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.8A, 1.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

188mOhm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

88pF @ 10V

전력-최대

800mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

6-MCPH

DMN3022LFG-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A (Ta), 15A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

481pF @ 15V, 996pF @ 15V

전력-최대

1.96W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerLDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI3333-8 (Type D)

FDMS001N025DSD

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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