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FDMC7200

FDMC7200

참조 용

부품 번호 FDMC7200
PNEDA 부품 번호 FDMC7200
설명 MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A POWER33
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 19 - 6월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMC7200 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMC7200
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDMC7200, FDMC7200 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 551.36 KB)
PDFFDMC7200 데이터 시트 표지
FDMC7200 데이터 시트 페이지 2 FDMC7200 데이터 시트 페이지 3 FDMC7200 데이터 시트 페이지 4 FDMC7200 데이터 시트 페이지 5 FDMC7200 데이터 시트 페이지 6 FDMC7200 데이터 시트 페이지 7 FDMC7200 데이터 시트 페이지 8 FDMC7200 데이터 시트 페이지 9 FDMC7200 데이터 시트 페이지 10 FDMC7200 데이터 시트 페이지 11

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FDMC7200 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A, 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs23.5mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds660pF @ 15V
전력-최대700mW, 900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지8-Power33 (3x3)

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Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

295mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

115pF @ 10V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-75-6L Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-75-6L Dual

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A, 30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 15V

전력-최대

22W, 40W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.5A (Ta), 46A (Tc), 17A (Ta), 80A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.9mOhm @ 11.5A, 10V, 3.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA, 2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V, 38nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1110pF @ 15V, 5260pF @ 15V

전력-최대

1.9W (Ta), 31W (Tc), 2.1W (Ta), 78W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN-EP (5x6)

SI1917EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

370mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 100µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

570mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

135mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

320pF @ 15V

전력-최대

960mW

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

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