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FDMC8327L

FDMC8327L

참조 용

부품 번호 FDMC8327L
PNEDA 부품 번호 FDMC8327L
설명 MOSFET N-CH 40V 12A 8MLP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 12 - 2월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMC8327L 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMC8327L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDMC8327L, FDMC8327L 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 391.06 KB)
PDFFDMC8327L 데이터 시트 표지
FDMC8327L 데이터 시트 페이지 2 FDMC8327L 데이터 시트 페이지 3 FDMC8327L 데이터 시트 페이지 4 FDMC8327L 데이터 시트 페이지 5 FDMC8327L 데이터 시트 페이지 6 FDMC8327L 데이터 시트 페이지 7 FDMC8327L 데이터 시트 페이지 8 FDMC8327L 데이터 시트 페이지 9

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FDMC8327L 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)12A (Ta), 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs9.7mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs26nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1850pF @ 20V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.3W (Ta), 30W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스8-PowerWDFN

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2650pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 136W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

450pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 40W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

GP1M023A050N

Global Power Technologies Group

제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

220mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3391pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

347W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3PN

패키지 / 케이스

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SIHF7N60E-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

600mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

680pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

31W (Tc)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

33A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

52mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

94nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 25V

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-

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