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FDMC8462

FDMC8462

참조 용

부품 번호 FDMC8462
PNEDA 부품 번호 FDMC8462
설명 MOSFET N-CH 40V 14A POWER33
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMC8462 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMC8462
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDMC8462, FDMC8462 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 405.17 KB)
PDFFDMC8462 데이터 시트 표지
FDMC8462 데이터 시트 페이지 2 FDMC8462 데이터 시트 페이지 3 FDMC8462 데이터 시트 페이지 4 FDMC8462 데이터 시트 페이지 5 FDMC8462 데이터 시트 페이지 6 FDMC8462 데이터 시트 페이지 7 FDMC8462 데이터 시트 페이지 8 FDMC8462 데이터 시트 페이지 9

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  • FDMC8462 Distributor

FDMC8462 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)14A (Ta), 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs43nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2660pF @ 20V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지Power33
패키지 / 케이스8-PowerTDFN

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.8nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1060pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.3W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-ECH

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

SQ3419EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1065pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-TSOP

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

IPT60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ G7

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

29A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 490µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1640pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

167W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-HSOF-8-2

패키지 / 케이스

8-PowerSFN

STF33N60DM2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ DM2

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1870pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

35W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220FP

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

IPA093N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

43A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 34µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3900pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

33W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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