FDMS1D2N03DSD
참조 용
| 부품 번호 | FDMS1D2N03DSD |
| PNEDA 부품 번호 | FDMS1D2N03DSD |
| 설명 | PT11N 30/12 & PT11N 30/12 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,546 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDMS1D2N03DSD 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDMS1D2N03DSD |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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FDMS1D2N03DSD 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.97mOhm @ 37A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 33nC @ 10V, 117nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V |
| 전력-최대 | 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerWDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-PQFN (5x6) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 19mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 700mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 23.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1366pF @ 16V 전력-최대 3.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 1.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 330mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.2nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 43pF @ 10V 전력-최대 500mW (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 UF6 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 800mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 330pF @ 40V 전력-최대 1.8W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 26nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1730pF @ 6V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
