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FDMS3604S

FDMS3604S

참조 용

부품 번호 FDMS3604S
PNEDA 부품 번호 FDMS3604S
설명 MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,316
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMS3604S 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMS3604S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDMS3604S, FDMS3604S 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 676.73 KB)
PDFFDMS3604S 데이터 시트 표지
FDMS3604S 데이터 시트 페이지 2 FDMS3604S 데이터 시트 페이지 3 FDMS3604S 데이터 시트 페이지 4 FDMS3604S 데이터 시트 페이지 5 FDMS3604S 데이터 시트 페이지 6 FDMS3604S 데이터 시트 페이지 7 FDMS3604S 데이터 시트 페이지 8 FDMS3604S 데이터 시트 페이지 9 FDMS3604S 데이터 시트 페이지 10 FDMS3604S 데이터 시트 페이지 11

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FDMS3604S 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)13A, 23A
Rds On (최대) @ Id, Vgs8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs29nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1785pF @ 15V
전력-최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지Power56

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

450mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

27.6pF @ 16V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-963

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SOT-963

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

360pF @ 10V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

QS6M4TR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V, 20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

230mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

80pF @ 10V

전력-최대

1.25W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

TSMT6 (SC-95)

SIZ346DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

PowerPAIR®, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc), 30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

325pF @ 15V, 650pF @ 15V

전력-최대

16W, 16.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

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AO4801AS

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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