FDMS86105
참조 용
| 부품 번호 | FDMS86105 |
| PNEDA 부품 번호 | FDMS86105 |
| 설명 | MOSFET N-CH 100V POWER56 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 43,842 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 18 - 4월 23 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDMS86105 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDMS86105 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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FDMS86105 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A (Ta), 26A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 645pF @ 50V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-PQFN (5x6) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 220µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 27nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 550pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 60W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO220-3 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 430mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 48.6nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1200pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220F-3FS 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolMOS™ CE FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13nC @ 10V Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 280pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO251-3 패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
