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FDS6982AS_G

FDS6982AS_G

참조 용

부품 번호 FDS6982AS_G
PNEDA 부품 번호 FDS6982AS_G
설명 MOSFET 2 N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SO
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,562
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDS6982AS_G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDS6982AS_G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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FDS6982AS_G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.3A, 8.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs28mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA, 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs9nC @ 5V, 16nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds610pF @ 10V, 1250pF @ 10V
전력-최대900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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NexFET™

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2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

850mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

265pF @ 10V

전력-최대

750mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UFBGA, DSBGA

공급자 장치 패키지

6-DSBGA (1x1.5)

FDS6982S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®, SyncFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.3A, 8.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2040pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 8.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF @ 15V

전력-최대

700mW, 1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

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Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A, 30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1150pF @ 15V

전력-최대

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