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FDS8958A

FDS8958A

참조 용

부품 번호 FDS8958A
PNEDA 부품 번호 FDS8958A
설명 MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,778
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDS8958A 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDS8958A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDS8958A, FDS8958A 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 598.97 KB)
PDFFDS8958A 데이터 시트 표지
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FDS8958A 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A, 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs16nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds575pF @ 15V
전력-최대900mW
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 1.2V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.34nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

36pF @ 10V

전력-최대

250mW

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

325pF @ 10V, 600pF @ 10V

전력-최대

2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-Power33 (3x3)

PHN210T,118

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 20V

전력-최대

2W

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

AO9926BL

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

630pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 85A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

492nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

22400pF @ 25V

전력-최대

1250W

작동 온도

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장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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