FDY2000PZ
참조 용
| 부품 번호 | FDY2000PZ |
| PNEDA 부품 번호 | FDY2000PZ |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 23,484 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDY2000PZ 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDY2000PZ |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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FDY2000PZ 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 350mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 100pF @ 10V |
| 전력-최대 | 446mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-563F |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 540pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 26mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2297pF @ 25V 전력-최대 53W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-1205, 8-LFPAK56 공급자 장치 패키지 LFPAK56D |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A, 28A Rds On (최대) @ Id, Vgs 12mOhm @ 13.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 21nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 790pF @ 15V 전력-최대 29W, 100W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-PowerPair® (6x5) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 485mA, 370mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 250mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SC-89-6 |
