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FES16CTHE3/45

FES16CTHE3/45

참조 용

부품 번호 FES16CTHE3/45
PNEDA 부품 번호 FES16CTHE3-45
설명 DIODE GEN PURP 150V 16A TO220AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 5,508
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FES16CTHE3/45 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FES16CTHE3/45
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
FES16CTHE3/45, FES16CTHE3/45 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 141.41 KB)
PDFFES16JT-9HE3/45 데이터 시트 표지
FES16JT-9HE3/45 데이터 시트 페이지 2 FES16JT-9HE3/45 데이터 시트 페이지 3 FES16JT-9HE3/45 데이터 시트 페이지 4 FES16JT-9HE3/45 데이터 시트 페이지 5

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  • FES16CTHE3/45 Distributor

FES16CTHE3/45 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)150V
전류-평균 정류 (Io)16A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If975mV @ 16A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 150V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2
공급자 장치 패키지TO-220AC
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 60A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

480ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-2

공급자 장치 패키지

TO-247AC Modified

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

MBRB750HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

7.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 7.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

MUR120/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

875mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

MBR30H100MFST3G

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN, 5 Leads

공급자 장치 패키지

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

110pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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작동 온도-접합

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