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FF150R12KE3GHOSA1

FF150R12KE3GHOSA1

참조 용

부품 번호 FF150R12KE3GHOSA1
PNEDA 부품 번호 FF150R12KE3GHOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 1200V 150A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,338
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FF150R12KE3GHOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FF150R12KE3GHOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FF150R12KE3GHOSA1, FF150R12KE3GHOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 419.01 KB)
PDFFF150R12KE3GB2HOSA1 데이터 시트 표지
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FF150R12KE3GHOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Single Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)225A
전력-최대780W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce11nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전력-최대

20mW

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

890pF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGF150SK120TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

961W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

APTGF50TDU120PG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Triple, Dual - Common Source

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

312W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.45nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6-P

FF400R12KT3PEHOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

C

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

28nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT200SK170D3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

1250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

17nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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