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FF600R12ME4BOSA1

FF600R12ME4BOSA1

참조 용

부품 번호 FF600R12ME4BOSA1
PNEDA 부품 번호 FF600R12ME4BOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 600A
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FF600R12ME4BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FF600R12ME4BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FF600R12ME4BOSA1, FF600R12ME4BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 600.17 KB)
PDFFF600R12ME4BOSA1 데이터 시트 표지
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FF600R12ME4BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대4050W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대)3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce37nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

450A

전력-최대

1100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

20nA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

18.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF600R12KE3NOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MWI50-06A7

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

72A

전력-최대

225W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

600µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E2

공급자 장치 패키지

E2

FF200R33KF2CNOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

330A

전력-최대

2200W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.25V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

25nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT75SK120TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전력-최대

357W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.34nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

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