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FF600R12ME4CBOSA1

FF600R12ME4CBOSA1

참조 용

부품 번호 FF600R12ME4CBOSA1
PNEDA 부품 번호 FF600R12ME4CBOSA1
설명 IGBT MODULE 1200V 600A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FF600R12ME4CBOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FF600R12ME4CBOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FF600R12ME4CBOSA1, FF600R12ME4CBOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 603.16 KB)
PDFFF600R12ME4CPB11BPSA1 데이터 시트 표지
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  • FF600R12ME4CBOSA1 Distributor

FF600R12ME4CBOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)1060A
전력-최대4050W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대)3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce37nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

780W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

20nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

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구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

300A

전력-최대

1008W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Double INT-A-PAK (3 + 4)

공급자 장치 패키지

Double INT-A-PAK

FZ600R65KE3NOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

6500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1200A

전력-최대

2400W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

160nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-50°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FD300R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single Chopper

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

370A

전력-최대

1950W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.75V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

2PS12017E44G35911NOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

2160W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-25°C ~ 55°C

장착 유형

Chassis Mount

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