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FF800R17KE3NOSA1

FF800R17KE3NOSA1

참조 용

부품 번호 FF800R17KE3NOSA1
PNEDA 부품 번호 FF800R17KE3NOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 1200V 800A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FF800R17KE3NOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FF800R17KE3NOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FF800R17KE3NOSA1, FF800R17KE3NOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 418.25 KB)
PDFFF800R17KE3NOSA1 데이터 시트 표지
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FF800R17KE3NOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대4450W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 800A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce72nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

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Trench Field Stop

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1400A

전력-최대

955000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 1400A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

110nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전력-최대

23W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm)

공급자 장치 패키지

23-DIP

VS-GB100TS60NPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

108A

전력-최대

390W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

INT-A-Pak

공급자 장치 패키지

INT-A-PAK

VS-CPV362M4UPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

7.2A

전력-최대

23W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 3.9A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.53nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

19-SIP (13 Leads), IMS-2

공급자 장치 패키지

IMS-2

FS50R12KE3BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

270W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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