FFPF10UP60STU
참조 용
| 부품 번호 | FFPF10UP60STU |
| PNEDA 부품 번호 | FFPF10UP60STU |
| 설명 | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 14,880 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FFPF10UP60STU 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FFPF10UP60STU |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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FFPF10UP60STU 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 600V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 10A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 2.2V @ 10A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 58ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 100µA @ 600V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-2 Full Pack |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220F-2L |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 다이오드 유형 - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) - 전류-평균 정류 (Io) - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 - 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 - |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 150V 전류-평균 정류 (Io) 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 10A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 150µA @ 150V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 550mV @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합 -55°C ~ 125°C |
제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지 SMAE 작동 온도-접합 -50°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.8V @ 10A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 40µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F 520pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220AC 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
