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FFSD0665A

FFSD0665A

참조 용

부품 번호 FFSD0665A
PNEDA 부품 번호 FFSD0665A
설명 650V 6A SIC SBD
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,508
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 18 - 11월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FFSD0665A 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FFSD0665A
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
FFSD0665A, FFSD0665A 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 413.29 KB)
PDFFFSD0665A 데이터 시트 표지
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FFSD0665A 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)650V
전류-평균 정류 (Io)11A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.75V @ 6A
속도No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr)0ns
전류-역방향 누설 @ Vr200µA @ 650V
커패시턴스 @ Vr, F361pF @ 1V, 100kHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지D-PAK (TO-252)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

A, Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

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-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 60A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

-65°C ~ 200°C

RSFJLHRVG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

250ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

HS24230

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

240A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 240A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

12mA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

10500pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

HALF-PAK

공급자 장치 패키지

HALF-PAK

작동 온도-접합

-

SCS306AHGC9

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

6A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 6A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

300pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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