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FGA25N120ANDTU

FGA25N120ANDTU

참조 용

부품 번호 FGA25N120ANDTU
PNEDA 부품 번호 FGA25N120ANDTU
설명 IGBT 1200V 40A 310W TO3P
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 3,060
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGA25N120ANDTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA25N120ANDTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA25N120ANDTU, FGA25N120ANDTU 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 569.52 KB)
PDFFGA25N120ANDTU 데이터 시트 표지
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FGA25N120ANDTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전류-수집기 펄스 (Icm)75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 25A
전력-최대310W
에너지 전환4.8mJ (on), 1mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지200nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C60ns/170ns
테스트 조건600V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)350ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

관심을 가질만한 제품

NGTB25N120SWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

전력-최대

385W

에너지 전환

1.95mJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

178nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

87ns/179ns

테스트 조건

600V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

154ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 12A

전력-최대

150W

에너지 전환

160µJ (on), 90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

25nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/75ns

테스트 조건

400V, 12A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

30ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

200W

에너지 전환

2.7mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

116nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/180ns

테스트 조건

480V, 40A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

STGF7NC60HD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 7A

전력-최대

25W

에너지 전환

95µJ (on), 115µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

35nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18.5ns/72ns

테스트 조건

390V, 7A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FP

APT40GP60BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

전력-최대

543W

에너지 전환

385µJ (on), 352µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

135nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/64ns

테스트 조건

400V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

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