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FGA40T65SHDF

FGA40T65SHDF

참조 용

부품 번호 FGA40T65SHDF
PNEDA 부품 번호 FGA40T65SHDF
설명 IGBT 650V 80A 268W TO-3PN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,420
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGA40T65SHDF 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA40T65SHDF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA40T65SHDF, FGA40T65SHDF 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 704.82 KB)
PDFFGA40T65SHDF 데이터 시트 표지
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FGA40T65SHDF 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.81V @ 15V, 40A
전력-최대268W
에너지 전환1.22mJ (on), 440µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지68nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C18ns/64ns
테스트 조건400V, 40A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)101ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3PN

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RGT40NL65DGTL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

전력-최대

161W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

40nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/75ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

58ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

LPDS

SKB15N60HSATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

27A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 15A

전력-최대

138W

에너지 전환

530µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

80nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/209ns

테스트 조건

400V, 15A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

111ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3

RJH60A81RDPD-A0#J2

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 5A

전력-최대

29.4W

에너지 전환

130µJ (on), 60µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

11nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/40ns

테스트 조건

300V, 5A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252

FGA25S125P-SN00337

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1250V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 25A

전력-최대

250W

에너지 전환

1.09mJ (on), 580µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

204nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/502ns

테스트 조건

600V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

IXGH32N60B

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

전력-최대

200W

에너지 전환

800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

125nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/100ns

테스트 조건

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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ADM3252EABCZ

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BA00DD0WHFP-TR

BA00DD0WHFP-TR

Rohm Semiconductor

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BC81725MTF

BC81725MTF

ON Semiconductor

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