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FGA50T65SHD

FGA50T65SHD

참조 용

부품 번호 FGA50T65SHD
PNEDA 부품 번호 FGA50T65SHD
설명 IGBT 650V 100A 319W TO-3PN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 16,260
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 28 - 5월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGA50T65SHD 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA50T65SHD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA50T65SHD, FGA50T65SHD 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 2,165.47 KB)
PDFFGA50T65SHD 데이터 시트 표지
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FGA50T65SHD 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전류-수집기 펄스 (Icm)150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
전력-최대319W
에너지 전환1.28mJ (on), 384µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지87nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C22.4ns/73.6ns
테스트 조건400V, 50A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)34.6ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3PN

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제조업체

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

전력-최대

220W

에너지 전환

270µJ (on), 90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

38nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/42ns

테스트 조건

300V, 20A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (IXGA)

IRGS4620DTRRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

32A

전류-수집기 펄스 (Icm)

36A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 12A

전력-최대

140W

에너지 전환

75µJ (on), 225µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

25nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/83ns

테스트 조건

400V, 12A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

68ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRG4BC20FPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

64A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

70µJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/190ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

STGD10NC60ST4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

18A

전류-수집기 펄스 (Icm)

25A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 5A

전력-최대

60W

에너지 전환

60µJ (on), 340µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/160ns

테스트 조건

390V, 5A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

ISL9V5045S3ST-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

480V

전류-수집기 (Ic) (최대)

51A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

전력-최대

300W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/10.8µs

테스트 조건

300V, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

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