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FGA60N65SMD

FGA60N65SMD

참조 용

부품 번호 FGA60N65SMD
PNEDA 부품 번호 FGA60N65SMD
설명 IGBT 650V 120A 600W TO3P
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 15,276
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGA60N65SMD 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA60N65SMD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA60N65SMD, FGA60N65SMD 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 433.55 KB)
PDFFGA60N65SMD 데이터 시트 표지
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FGA60N65SMD 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)120A
전류-수집기 펄스 (Icm)180A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 60A
전력-최대600W
에너지 전환1.54mJ (on), 450µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지189nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C18ns/104ns
테스트 조건400V, 60A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)47ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전류-수집기 펄스 (Icm)

380A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 82A

전력-최대

1250W

에너지 전환

4.95mJ (on), 2.78mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

215nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

29ns/192ns

테스트 조건

600V, 80A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXYH)

HGTG40N60B3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

330A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

전력-최대

290W

에너지 전환

1.05mJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

250nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

47ns/170ns

테스트 조건

480V, 40A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IRGP50B60PD1-EP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 50A

전력-최대

390W

에너지 전환

255µJ (on), 375µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

205nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/130ns

테스트 조건

390V, 33A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-247AD

IRG4RC10SDTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

전력-최대

38W

에너지 전환

310µJ (on), 3.28mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

76ns/815ns

테스트 조건

480V, 8A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

전력-최대

150W

에너지 전환

2.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/250ns

테스트 조건

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263HV

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