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FGA70N30TTU

FGA70N30TTU

참조 용

부품 번호 FGA70N30TTU
PNEDA 부품 번호 FGA70N30TTU
설명 IGBT 300V 201W TO3P
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 14 - 2월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGA70N30TTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA70N30TTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA70N30TTU, FGA70N30TTU 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 555.31 KB)
PDFFGA70N30TTU 데이터 시트 표지
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FGA70N30TTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)300V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전류-수집기 펄스 (Icm)160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.5V @ 15V, 20A
전력-최대201W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지125nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3PN

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

전력-최대

283W

에너지 전환

498µJ (on), 363µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/142ns

테스트 조건

400V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

62ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

HGTG27N120BN

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

72A

전류-수집기 펄스 (Icm)

216A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 27A

전력-최대

500W

에너지 전환

2.2mJ (on), 2.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

270nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/195ns

테스트 조건

960V, 27A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

FGB3040G2-F085C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

41A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

21nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

900ns/4.8µs

테스트 조건

5V, 470Ohm

역 복구 시간 (trr)

1.9µs

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK-3 (TO-263-3)

HGT1S20N36G3VL

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

395V

전류-수집기 (Ic) (최대)

37.7A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 5V, 20A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

28.7nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/15µs

테스트 조건

300V, 10A, 25Ohm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

I2PAK (TO-262)

APT30GN60BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

63A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전력-최대

203W

에너지 전환

525µJ (on), 700µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

165nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/155ns

테스트 조건

400V, 30A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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