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FGAF40N60UFTU

FGAF40N60UFTU

참조 용

부품 번호 FGAF40N60UFTU
PNEDA 부품 번호 FGAF40N60UFTU
설명 IGBT 600V 40A 100W TO3PF
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,868
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGAF40N60UFTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGAF40N60UFTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGAF40N60UFTU, FGAF40N60UFTU 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 405.49 KB)
PDFFGAF40N60UFTU 데이터 시트 표지
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FGAF40N60UFTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전류-수집기 펄스 (Icm)160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3V @ 15V, 20A
전력-최대100W
에너지 전환470µJ (on), 130µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지77nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C15ns/65ns
테스트 조건300V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-3PF

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Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 17A

전력-최대

39.7W

에너지 전환

290µJ (on), 290µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

60nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

38ns/90ns

테스트 조건

300V, 17A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

90ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FL

FGPF30N30TDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 10A

전력-최대

44.6W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/130ns

테스트 조건

200V, 20A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

22ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

STGB10NB37LZT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

440V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 4.5V, 10A

전력-최대

125W

에너지 전환

2.4mJ (on), 5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

28nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

1.3µs/8µs

테스트 조건

328V, 10A, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

APT150GN60LDQ4G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전류-수집기 펄스 (Icm)

450A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 150A

전력-최대

536W

에너지 전환

8.81mJ (on), 4.295mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

970nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

44ns/430ns

테스트 조건

400V, 150A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 [L]

APT50GS60BRG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Thunderbolt IGBT®

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

93A

전류-수집기 펄스 (Icm)

195A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 50A

전력-최대

415W

에너지 전환

755µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

235nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/225ns

테스트 조건

400V, 50A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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