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FGD3N60UNDF

FGD3N60UNDF

참조 용

부품 번호 FGD3N60UNDF
PNEDA 부품 번호 FGD3N60UNDF
설명 IGBT 600V 6A 60W DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGD3N60UNDF 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGD3N60UNDF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGD3N60UNDF, FGD3N60UNDF 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 1,146.92 KB)
PDFFGD3N60UNDF 데이터 시트 표지
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FGD3N60UNDF 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)6A
전류-수집기 펄스 (Icm)9A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.52V @ 15V, 3A
전력-최대60W
에너지 전환52µJ (on), 30µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지1.6nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C5.5ns/22ns
테스트 조건400V, 3A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)21ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지TO-252, (D-Pak)

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전류-수집기 펄스 (Icm)

124A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

전력-최대

100W

에너지 전환

230µJ (on), 1.18mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/200ns

테스트 조건

480V, 17A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IRG7S313UTRLPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

330V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.14V @ 15V, 60A

전력-최대

78W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

33nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

1ns/65ns

테스트 조건

196V, 12A, 10Ohm

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

NGB8204NT4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

18A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 4V, 15A

전력-최대

115W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

SGS5N60RUFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

15A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 5A

전력-최대

35W

에너지 전환

88µJ (on), 107µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

16nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/34ns

테스트 조건

300V, 5A, 40Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

55ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

HGTG5N120BND

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제조업체

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

21A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 5A

전력-최대

167W

에너지 전환

450µJ (on), 390µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

53nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/160ns

테스트 조건

960V, 5A, 25Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

65ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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