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FGD5T120SH

FGD5T120SH

참조 용

부품 번호 FGD5T120SH
PNEDA 부품 번호 FGD5T120SH
설명 IGBT 1200V 5A FS3 DPAK
제조업체 ON Semiconductor
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예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGD5T120SH 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGD5T120SH
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGD5T120SH, FGD5T120SH 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 610.2 KB)
PDFFGD5T120SH 데이터 시트 표지
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FGD5T120SH 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)10A
전류-수집기 펄스 (Icm)12.5A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.6V @ 15V, 5A
전력-최대69W
에너지 전환247µJ (on), 94µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지6.7nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C4.8ns/24.8ns
테스트 조건600V, 5A, 30Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지DPAK

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

17A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 3A

전력-최대

70W

에너지 전환

37µJ (on), 25µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

21nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

6ns/73ns

테스트 조건

390V, 3A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

29ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

NGTB15N120IHRWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 15A

전력-최대

333W

에너지 전환

340µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

160nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/170ns

테스트 조건

600V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

SGP15N60RUFTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

24A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 15A

전력-최대

160W

에너지 전환

320µJ (on), 356µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

42nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/44ns

테스트 조건

300V, 15A, 13Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 120A

전력-최대

660W

에너지 전환

2.4mJ (on), 5.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

350nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/200ns

테스트 조건

480V, 100A, 2.4Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

전력-최대

150W

에너지 전환

210µJ (on), 380µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

64nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/192ns

테스트 조건

400V, 10A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

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