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FGH40T65SQD-F155

FGH40T65SQD-F155

참조 용

부품 번호 FGH40T65SQD-F155
PNEDA 부품 번호 FGH40T65SQD-F155
설명 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,282
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGH40T65SQD-F155 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGH40T65SQD-F155
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGH40T65SQD-F155, FGH40T65SQD-F155 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 662.15 KB)
PDFFGH40T65SQD_F155 데이터 시트 표지
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FGH40T65SQD-F155 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 40A
전력-최대238W
에너지 전환138µJ (on), 52µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지80nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C16.4ns/86.4ns
테스트 조건400V, 10A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)31.8ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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제조업체

Infineon Technologies

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 10A

전력-최대

110W

에너지 전환

430µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

62nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/215ns

테스트 조건

400V, 10A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

115ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

SGL5N150UFTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

20A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

5.5V @ 10V, 5A

전력-최대

125W

에너지 전환

190µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/30ns

테스트 조건

600V, 5A, 10Ohm, 10V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264-3

IRG4BC30FD-STRR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

전력-최대

100W

에너지 전환

630µJ (on), 1.39mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

42ns/230ns

테스트 조건

480V, 17A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

NGTB30N120IHLWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

320A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

전력-최대

260W

에너지 전환

1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

420nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/360ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

TO-247-3

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-

IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

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