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FGP30N6S2D

FGP30N6S2D

참조 용

부품 번호 FGP30N6S2D
PNEDA 부품 번호 FGP30N6S2D
설명 IGBT 600V 45A 167W TO220AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,102
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGP30N6S2D 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGP30N6S2D
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGP30N6S2D, FGP30N6S2D 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 281.66 KB)
PDFFGB30N6S2DT 데이터 시트 표지
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  • FGP30N6S2D Distributor

FGP30N6S2D 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)45A
전류-수집기 펄스 (Icm)108A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
전력-최대167W
에너지 전환55µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지23nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C6ns/40ns
테스트 조건390V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)46ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220-3

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

117A

전류-수집기 펄스 (Icm)

193A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 38A

전력-최대

500W

에너지 전환

1192µJ (on), 1088µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

162nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/131ns

테스트 조건

600V, 38A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 [L]

APT44GA60BD30

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전류-수집기 펄스 (Icm)

130A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 26A

전력-최대

337W

에너지 전환

409µJ (on), 258µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

128nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/84ns

테스트 조건

400V, 26A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

IGW15T120FKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

NPT, Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

전력-최대

110W

에너지 전환

2.7mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

85nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/520ns

테스트 조건

600V, 15A, 56Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

ISL9V2040D3ST

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

EcoSPARK®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 4V, 6A

전력-최대

130W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

12nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/3.64µs

테스트 조건

300V, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252AA

IKFW50N60DH3EXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

전력-최대

130W

에너지 전환

1.28mJ (on), 560µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

160nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/174ns

테스트 조건

400V, 40A, 8Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

64ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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NLC453232T-150K-PF

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PI3USB30532ZLE

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KSZ8863MLLI

KSZ8863MLLI

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IC ETHERNET SWITCH 3PORT 48-LQFP

SM05T1G

SM05T1G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V 9.8V SOT23-3

PBRC4.00HR50X000

PBRC4.00HR50X000

Kyocera

CER RES 4.0000MHZ 30PF SMD