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FII50-12E

FII50-12E

참조 용

부품 번호 FII50-12E
PNEDA 부품 번호 FII50-12E
설명 IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 5,886
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FII50-12E 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FII50-12E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-어레이
데이터 시트
FII50-12E, FII50-12E 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 79.55 KB)
PDFFII50-12E 데이터 시트 표지
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FII50-12E 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형NPT
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전력-최대200W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대)400µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce2nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지ISOPLUS i4-PAC™

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IXYS

제조업체

IXYS

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-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

33A

전력-최대

150W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 20A

전류-수집기 차단 (최대)

200µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

43A

전력-최대

150W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

2.1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

9-SMD Module

공급자 장치 패키지

ISOPLUS-SMPD™.B

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

63A

전력-최대

230W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

150µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

9-SMD Module

공급자 장치 패키지

ISOPLUS-SMPD™.B

제조업체

IXYS

시리즈

ISOPLUS™

IGBT 유형

PT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

63A

전력-최대

230W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

150µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

9-SMD Module

공급자 장치 패키지

ISOPLUS-SMPD™.B

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

43A

전력-최대

150W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

2.1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

9-SMD Module

공급자 장치 패키지

ISOPLUS-SMPD™.B

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