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FJ6K01010L

FJ6K01010L

참조 용

부품 번호 FJ6K01010L
PNEDA 부품 번호 FJ6K01010L
설명 MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
제조업체 Panasonic Electronic Components
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FJ6K01010L 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FJ6K01010L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FJ6K01010L, FJ6K01010L 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 315.39 KB)
PDFFJ6K01010L 데이터 시트 표지
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FJ6K01010L 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs34mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1400pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)700mW (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지WSMini6-F1-B
패키지 / 케이스6-SMD, Flat Leads

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.1mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±22V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1290pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

60W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerFlat™ (5x6)

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4150pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

460W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PLUS-220SMD

패키지 / 케이스

PLUS-220SMD

TSM2N100CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.85A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5Ohm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

625pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

77W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-251 (IPAK)

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IPSA70R1K4P7SAKMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 700mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 40µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.7nC @ 400V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

158pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

22.7W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4030pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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