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FMG2G400LS60

FMG2G400LS60

참조 용

부품 번호 FMG2G400LS60
PNEDA 부품 번호 FMG2G400LS60
설명 IGBT POWER MOD 600V 300A 7PM-IA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,032
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FMG2G400LS60 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FMG2G400LS60
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FMG2G400LS60, FMG2G400LS60 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 381.98 KB)
PDFFMG2G400LS60 데이터 시트 표지
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FMG2G400LS60 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)400A
전력-최대1136W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스7PM-IA
공급자 장치 패키지7PM-IA

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Powerex Inc.

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Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

600A

전력-최대

1130W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

166nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

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IGBT 유형

PT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

160A

전력-최대

360W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 60A

전류-수집기 차단 (최대)

75µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227B

FF300R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

450A

전력-최대

1600W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

18.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

530A

전력-최대

1136W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.45V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

750µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Dual INT-A-PAK (3 + 8)

공급자 장치 패키지

Dual INT-A-PAK

VS-GT50TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

405W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.24nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

INT-A-PAK (3 + 4)

공급자 장치 패키지

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