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FMMT723TC

FMMT723TC

참조 용

부품 번호 FMMT723TC
PNEDA 부품 번호 FMMT723TC
설명 TRANS PNP 100V 1A SOT23-3
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 6,660
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 20 - 11월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FMMT723TC 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FMMT723TC
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
FMMT723TC, FMMT723TC 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 401.8 KB)
PDFFMMT723TC 데이터 시트 표지
FMMT723TC 데이터 시트 페이지 2 FMMT723TC 데이터 시트 페이지 3 FMMT723TC 데이터 시트 페이지 4 FMMT723TC 데이터 시트 페이지 5 FMMT723TC 데이터 시트 페이지 6 FMMT723TC 데이터 시트 페이지 7

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FMMT723TC 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic330mV @ 150mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce250 @ 500mA, 10V
전력-최대625mW
주파수-전환200MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

300mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

750mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 10V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

FZT788BTC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

500 @ 10mA, 2V

전력-최대

2W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

2N5303

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

JANTX2N5684

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/466

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

5V @ 10A, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

5µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5A, 2V

전력-최대

300W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-204AA, TO-3

공급자 장치 패키지

TO-3

KSB907TU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 4mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 3A, 2V

전력-최대

15W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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