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FMMTL717TC

FMMTL717TC

참조 용

부품 번호 FMMTL717TC
PNEDA 부품 번호 FMMTL717TC
설명 TRANS PNP 12V 1.25A SOT23-3
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 4,356
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FMMTL717TC 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FMMTL717TC
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
FMMTL717TC, FMMTL717TC 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 395.38 KB)
PDFFMMTL717TC 데이터 시트 표지
FMMTL717TC 데이터 시트 페이지 2 FMMTL717TC 데이터 시트 페이지 3 FMMTL717TC 데이터 시트 페이지 4 FMMTL717TC 데이터 시트 페이지 5 FMMTL717TC 데이터 시트 페이지 6 FMMTL717TC 데이터 시트 페이지 7

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FMMTL717TC 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)1.25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic290mV @ 50mA, 1.25A
전류-수집기 차단 (최대)10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce300 @ 100mA, 2V
전력-최대500mW
주파수-전환205MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

전력-최대

830mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

230V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

전력-최대

2W

주파수-전환

70MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220NIS

2SA2154MFVGR,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MPS750-AP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 1A, 2V

전력-최대

625mW

주파수-전환

75MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92

KSB1151YSTSTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 2A, 1V

전력-최대

1.3W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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