FMP36-015P
참조 용
| 부품 번호 | FMP36-015P |
| PNEDA 부품 번호 | FMP36-015P |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 150V 36A/22A I4PAC |
| 제조업체 | IXYS |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,912 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 13 - 4월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FMP36-015P 리소스
| 브랜드 | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FMP36-015P |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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FMP36-015P 사양
| 제조업체 | IXYS |
| 시리즈 | Polar™ |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 150V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 36A, 22A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 31A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2250pF @ 25V |
| 전력-최대 | 125W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | i4-Pac™-5 |
| 공급자 장치 패키지 | ISOPLUS i4-PAC™ |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 3.7µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.73nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 143pF @ 10V 전력-최대 500mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 PG-TSOP-6-6 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 42A Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 273nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6761pF @ 25V 전력-최대 416W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP4 공급자 장치 패키지 SP4 |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 AlphaMOS FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 215pF @ 15V 전력-최대 1.7W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 2.4W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.03A, 700mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 37.1pF @ 10V 전력-최대 450mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-563 |
