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FODM121ER2V

FODM121ER2V

참조 용

부품 번호 FODM121ER2V
PNEDA 부품 번호 FODM121ER2V
설명 OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,842
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 18 - 11월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FODM121ER2V 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FODM121ER2V
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
FODM121ER2V, FODM121ER2V 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 401.04 KB)
PDFFODM2701R2V 데이터 시트 표지
FODM2701R2V 데이터 시트 페이지 2 FODM2701R2V 데이터 시트 페이지 3 FODM2701R2V 데이터 시트 페이지 4 FODM2701R2V 데이터 시트 페이지 5 FODM2701R2V 데이터 시트 페이지 6 FODM2701R2V 데이터 시트 페이지 7 FODM2701R2V 데이터 시트 페이지 8 FODM2701R2V 데이터 시트 페이지 9 FODM2701R2V 데이터 시트 페이지 10 FODM2701R2V 데이터 시트 페이지 11

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FODM121ER2V 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
채널 수1
전압-절연3750Vrms
전류 전송 비율 (최소)50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대)600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반)-
상승 / 하강 시간 (일반)3µs, 3µs
입력 유형DC
출력 유형Transistor
전압-출력 (최대)80V
전류-출력 / 채널80mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.3V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대)50mA
Vce 포화 (최대)400mV
작동 온도-40°C ~ 110°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지4-SMD

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제조업체

Sharp Microelectronics

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

1500Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

100mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

Vce 포화 (최대)

1V

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.300", 7.62mm), 5 Leads

공급자 장치 패키지

6-DIP

MCT2200W

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

20% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

2µs, 2µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

100mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

VO618A-4

Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

160% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

320% @ 1mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 2.3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 2µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.1V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

4-DIP

4N26M-V

Everlight Electronics Co Ltd

제조업체

Everlight Electronics Co Ltd

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

20% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

500mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

MOC119-M

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

300% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

150mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

1V

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

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