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FP30R06W1E3B11BOMA1

FP30R06W1E3B11BOMA1

참조 용

부품 번호 FP30R06W1E3B11BOMA1
PNEDA 부품 번호 FP30R06W1E3B11BOMA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 30A
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $53.3052
100 ---------- $50.8065
250 ---------- $48.3079
500 ---------- $45.8092
750 ---------- $43.7269
1,000 ---------- $41.6447
재고 있음 2,830
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FP30R06W1E3B11BOMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FP30R06W1E3B11BOMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FP30R06W1E3B11BOMA1, FP30R06W1E3B11BOMA1 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 839.11 KB)
PDFFP30R06W1E3B11BOMA1 데이터 시트 표지
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FP30R06W1E3B11BOMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)37A
전력-최대115W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce1.65nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

APTGT300H60G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

430A

전력-최대

1150W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

24nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

IRG5K100HF12A

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

620W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

12.9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POWIR® 34 Module

공급자 장치 패키지

POWIR® 34

BSM100GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

830W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VII50-06P1

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

42.5A

전력-최대

130W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

600µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

16nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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공급자 장치 패키지

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